RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Punteggio complessivo
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8,883.4
11.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
44
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
14
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
31
Velocità di lettura, GB/s
14,740.4
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
8,883.4
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2811
3122
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link