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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8,883.4
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
44
Intorno -38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
14
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
32
Velocità di lettura, GB/s
14,740.4
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
8,883.4
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2811
3516
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
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