RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8,883.4
17.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
44
Intorno -83% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21
14
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
24
Velocità di lettura, GB/s
14,740.4
21.0
Velocità di scrittura, GB/s
8,883.4
17.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2811
4006
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link