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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8,883.4
19.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
14
44
Intorno -214% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
25.1
14
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
14
Velocità di lettura, GB/s
14,740.4
25.1
Velocità di scrittura, GB/s
8,883.4
19.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2811
4182
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
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Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
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