RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8,883.4
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
44
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
14
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
30
Velocità di lettura, GB/s
14,740.4
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
8,883.4
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2811
2208
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB Confronto tra le RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link