RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8,883.4
11.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
44
Intorno -38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
14
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
32
Velocità di lettura, GB/s
14,740.4
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
8,883.4
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2811
2960
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link