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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
44
Intorno -91% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
8,883.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
23
Velocità di lettura, GB/s
14,740.4
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
8,883.4
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2811
2591
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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