RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,303.7
12.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
117
Intorno -388% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
117
24
Velocità di lettura, GB/s
3,094.8
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,303.7
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
784
3257
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link