RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,303.7
10.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
117
Intorno -200% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
117
39
Velocità di lettura, GB/s
3,094.8
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,303.7
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
784
2600
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link