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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Confronto
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,303.7
10.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
117
Intorno -234% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
117
35
Velocità di lettura, GB/s
3,094.8
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,303.7
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
784
2155
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
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