SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 15.5
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,303.7 left arrow 12.0
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    38 left arrow 117
    Intorno -208% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 5300
    Intorno 4.83 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    117 left arrow 38
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,094.8 left arrow 15.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,303.7 left arrow 12.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    no data left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    784 left arrow 2283
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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