RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
63
Intorno -125% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
1,583.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
28
Velocità di lettura, GB/s
3,895.6
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,583.7
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
639
3384
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link