RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
63
101
Intorno 38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
12.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.7
1,583.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
101
Velocità di lettura, GB/s
3,895.6
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,583.7
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
639
1382
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link