RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
63
Intorno -80% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
1,583.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
35
Velocità di lettura, GB/s
3,895.6
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,583.7
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
639
2613
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link