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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Confronto
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
63
Intorno -75% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
1,583.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
36
Velocità di lettura, GB/s
3,895.6
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,583.7
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
639
2497
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
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