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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
63
Intorno -186% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
1,583.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
22
Velocità di lettura, GB/s
3,895.6
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,583.7
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
639
3110
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
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Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
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