RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
63
Intorno -103% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
1,583.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
31
Velocità di lettura, GB/s
3,895.6
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,583.7
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
639
3649
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link