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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Confronto
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
35
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
26
Velocità di lettura, GB/s
12.3
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1570
2955
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
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