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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Confronto
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
35
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
34
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1570
2902
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
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