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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Confronto
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
46
Intorno 24% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
46
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1570
2632
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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