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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Confronto
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
10
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
70
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
3,071.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
70
52
Velocità di lettura, GB/s
4,372.7
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
3,071.4
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
2306
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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