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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Confronto
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
9.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
5.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
28
Velocità di lettura, GB/s
9.4
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
5.5
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1453
2354
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Confronto tra le RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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