RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Confronto
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
36
Intorno 22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.4
9.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
5.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
36
Velocità di lettura, GB/s
9.4
9.1
Velocità di scrittura, GB/s
5.5
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1453
2090
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link