RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Confronto
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
35
Intorno 20% latenza inferiore
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10
9.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.0
5.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
35
Velocità di lettura, GB/s
9.4
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.5
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1453
2068
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link