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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Confronto
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
35
Intorno 20% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
9.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
5.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
35
Velocità di lettura, GB/s
9.4
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.5
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1453
2672
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
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