RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Confronto
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
28
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
9.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
5.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
25
Velocità di lettura, GB/s
9.4
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
5.5
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1453
2989
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link