RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Confronto
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Punteggio complessivo
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
54
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
1,781.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
27
Velocità di lettura, GB/s
4,269.3
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,781.8
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
618
3631
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link