RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Confronto
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Punteggio complessivo
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
54
59
Intorno 8% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.1
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.2
1,781.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
59
Velocità di lettura, GB/s
4,269.3
9.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,781.8
7.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
618
2025
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link