RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Confronto
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Punteggio complessivo
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
63
Intorno -174% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
1,447.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
23
Velocità di lettura, GB/s
3,231.0
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,447.3
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
478
2489
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link