RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Confronto
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Punteggio complessivo
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
63
Intorno -75% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
1,447.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
36
Velocità di lettura, GB/s
3,231.0
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,447.3
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
478
2589
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link