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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Confronto
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Punteggio complessivo
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
63
Intorno -97% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
1,447.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
32
Velocità di lettura, GB/s
3,231.0
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,447.3
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
478
2322
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
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