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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Confronto
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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Motivi da considerare
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
63
Intorno -133% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.7
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.8
1,447.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
27
Velocità di lettura, GB/s
3,231.0
9.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,447.3
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
478
1767
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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