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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Confronto
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Punteggio complessivo
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
63
Intorno -103% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
1,447.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
31
Velocità di lettura, GB/s
3,231.0
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,447.3
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
478
3100
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
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