STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

Punteggio complessivo
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Punteggio complessivo
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Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 16
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    36 left arrow 63
    Intorno -75% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.7 left arrow 1,447.3
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 5300
    Intorno 4.83 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    63 left arrow 36
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,231.0 left arrow 16.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,447.3 left arrow 12.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    478 left arrow 2353
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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