RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Confronto
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Punteggio complessivo
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Punteggio complessivo
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
11.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
63
Intorno -133% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.0
1,447.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
27
Velocità di lettura, GB/s
3,231.0
11.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,447.3
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
478
1890
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Segnala un bug
×
Bug description
Source link