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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Confronto
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Punteggio complessivo
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Differenze
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Motivi da considerare
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
31
Velocità di lettura, GB/s
11.7
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1990
2330
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Confronto tra le RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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