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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Confronto
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
31
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.8
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
31
26
Velocità di lettura, GB/s
11.7
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
16.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1990
3899
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Confronto tra le RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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