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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Confronto
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Punteggio complessivo
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
68
Intorno -113% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
1,944.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
32
Velocità di lettura, GB/s
3,973.0
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,944.9
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
673
2968
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
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