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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Confronto
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Punteggio complessivo
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
68
Intorno -127% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
1,944.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
30
Velocità di lettura, GB/s
3,973.0
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,944.9
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
673
3593
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
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