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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Confronto
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Punteggio complessivo
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
68
Intorno -94% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.4
1,944.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
35
Velocità di lettura, GB/s
3,973.0
10.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,944.9
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
673
2124
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
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