RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
17.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
46
Intorno -64% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
1,852.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
28
Velocità di lettura, GB/s
5,535.6
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,852.4
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
858
3317
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link