RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Confronto
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
35
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
32
Velocità di lettura, GB/s
15.6
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2625
2641
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. Quad-Vulcan-1866 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link