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Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Confronto
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
33
Intorno 12% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
15.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
11.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
33
Velocità di lettura, GB/s
15.1
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
11.5
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2950
2987
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
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