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Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Confronto
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB vs AMD R538G1601U2S 8GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
29
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
8.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
29
19
Velocità di lettura, GB/s
12.1
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1989
3189
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
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