RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
87
Intorno -156% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
34
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3425
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link