RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
21.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
87
Intorno -135% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
37
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
21.4
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3448
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link