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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
12.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
87
Intorno -263% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
24
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
2858
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
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