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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
87
Intorno -200% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
29
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3442
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
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