RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
14.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
87
Intorno -200% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
29
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3673
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link