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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
9.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
87
Intorno -190% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
30
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
2732
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
INTENSO 5641152 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
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